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微波等离子去胶机

产品介绍: 设备简介:安动自主研发的单腔去胶设备,采用自动三轴高精度机械手臂、微波等离子源及单片反应腔设计,基于Windows 平台的人机交换界面操作简单,系统架构合理。设备具有占用空间小,产能效率高,耗材成本及运营成本低等优点。适用于 半导体前后段各种光刻胶的去除。设备优势:•适用6、8寸晶圆(硅基及化合物半导体)•自适
面料:
型号: MS-200
应用: 半导体前后段各种光刻胶的去除
咨询热线: 400-660-7690转1

产品介绍:



设备简介:安动自主研发的单腔去胶设备,采用自动三轴高精度机械手臂、微波等离子源及单片反应腔设计,基于Windows 平台的人机交换界面操作简单,系统架构合理。设备具有占地空间小,产能效率高,耗材成本及运营成本低等优点。适用于半导体前后段各种光刻胶的去除。


设备优势:

•适用4、6、8寸晶圆(1-3代半导体)

•自适应机械手臂,取放精度0.05mm

•高密封腔体设计,真空底压30mT

•微波+石英气路设计,去胶均匀性5~7%

•增加FFU有效减少颗粒污染


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功能配置技术参数
设备稼动率≥95%
平均修理时间≤4hours
平均故障间隔时间≥250hours
平均辅助间隔时间≥24hours
晶圆破片率≤1 in 10,000 wafers
工艺腔真空度≤30 mtorr
腔体漏率≤10 mtorr/min
加热温度控制±3C of setpoint
微波功率范围30o w to 1500 w
微波功率控制±3% of setpoint
每小时晶圆清洗产能>25(4微米光刻胶)
基材损耗<10A


去胶工艺
光刻胶去除速率>40000 A/min
光刻胶去除均匀性片内均匀性Spc<7%
片间均匀性Spc<7%
批次间均匀性Spc<7%
聚合物去除基材损耗<10A
颗粒<30ea(0.3u)
除渣工艺
除渣去胶速率1000-3000 A/min
除渣去胶均匀性片内均匀性Spc<7%
片间均匀性Spc<7%
批次间均匀性Spc<7%
聚合物去除基材损耗<5A
颗粒<30ea(0.3u)


碳膜去除工艺
碳膜去除速率200-800 A/min
碳膜去除均匀性片内均匀性Spc<7%
片间均匀性Spc<7%
批次间均匀性Spc<7%
聚合物去除基材损耗<5A
颗粒<30ea(0.3u)


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